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  大家(jiā)好,来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查(chá),目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全,是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求,欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全,防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn),维护国(guó)家(jiā)安全,依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》,网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国(guó)出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头,也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一(yī),2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì),江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据(jù)早鸟票什么意思 早鸟票是最便宜的吗等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性,巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制,或将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

  早鸟票什么意思 早鸟票是最便宜的吗分(fēn)析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露,薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单,设备国产化(huà)进(jìn)程加速,看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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