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诫勉谈话影响期是多长时间,诫勉谈话受影响吗

诫勉谈话影响期是多长时间,诫勉谈话受影响吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

  美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

  审(shěn)查发(fā)现(xiàn),美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn),对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规,我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查,目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

  半导体(tǐ)突发!中国出(chū)手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng),为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险,维护国(guó)家安全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》,网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

  美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降,至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

  公诫勉谈话影响期是多长时间,诫勉谈话受影响吗告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约,确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势,公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制,或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì),国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名单,设备(bèi)国(gu诫勉谈话影响期是多长时间,诫勉谈话受影响吗ó)产化进程加速(sù),看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉(chén)积)等(děng)相关公司份额提升,以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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