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张弛有度下一句是什么意思,张弛有度下一句是什么歇后语 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息(xī)。

  美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

  审查发现(xiàn),美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患,对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险,影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ),网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全,是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú),欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

  半导体突(tū)发(fā)!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发文称,为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家(jiā)安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》,网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公(gōng)司中,江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降,至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē),确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán张弛有度下一句是什么意思,张弛有度下一句是什么歇后语)供应的(de)稳(wěn)定性,巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势,公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

  有券商张弛有度下一句是什么意思,张弛有度下一句是什么歇后语此前就分析,如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì),或将导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升,以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清张弛有度下一句是什么意思,张弛有度下一句是什么歇后语洗)等收(shōu)入增长。

 

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