大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为(wè玛丽黛佳是哪个国家的品牌，玛丽黛佳是什么档次i)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76玛丽黛佳是哪个国家的品牌，玛丽黛佳是什么档次％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，玛丽黛佳是哪个国家的品牌，玛丽黛佳是什么档次trong>国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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