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　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　邕包含南宁六县吗 邕包含武鸣区吗yle='color: #ff0000; line-height: 24px;'>邕包含南宁六县吗 邕包含武鸣区吗美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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