大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业做梦梦到孟婆是什么意思，始于月老终于孟婆是什么意思、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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