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　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产品存在(z正三角形也叫什么形，正三角形有什么性质？ài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，正三角形也叫什么形，正三角形有什么性质？采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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