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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安15mm等于多少厘米 15mm等于多少微米全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只15mm等于多少厘米 15mm等于多少微米要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中15mm等于多少厘米 15mm等于多少微米国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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