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中国的三线城市有哪些 排名,中国的三线城市有哪些2022 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

  美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)中国的三线城市有哪些 排名,中国的三线城市有哪些2022全问题隐(yǐn)患,对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险,影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规,我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

  此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查(chá),目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称,为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险,维护国(guó)家安全,依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额(é)约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内(nèi)存)市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降,至少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势,公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前(qián)就分析,如(rú)果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设中国的三线城市有哪些 排名,中国的三线城市有哪些2022备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75%。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额(é)提升,以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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