大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　<酒店的大镜子对着床做什么用的，酒店的镜子对着床做什么用的strong>美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第(d酒店的大镜子对着床做什么用的，酒店的镜子对着床做什么用的ì)二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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