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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险(x鱼目混珠这个故事，鱼目混珠的典故iǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储鱼目混珠这个故事，鱼目混珠的典故(chǔ)产业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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