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中国最早的朝代,中国最早的皇帝是谁

中国最早的朝代,中国最早的皇帝是谁 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

  审查发现(xiàn),美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险,影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ),网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规,我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险,维护(hù)国家安全,依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》,网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出(chū)手:停止采购(gòu)!

  美中国最早的朝代,中国最早的皇帝是谁光(guāng)是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中(zhōng),江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降,至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì),江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应(yīng)优势,公司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制,或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤,同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单,设备国产化进程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关(guān)公司份额提升,以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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